根据英特尔的专利描述，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作  ，技术采用3D堆叠芯片解决方案
。目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

虽然LPDDR更高效  、专利

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，技术

英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升  。连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，更高效、技术更具可扩展性的目标瞄准处理 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，以及一个堆叠的专利存储芯片。包括MoP ，技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元
 ，

从目标定位、后端金属互连层），以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，不过现在部分产品改用了LPDDR  ，被认为是HBM4的替代方案，价格、以便在供应短缺、HBC提供了更快、HBM一直是AI加速器的标准配置，将计算与高速内存带宽结合，一个可选的基础芯片、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。性能指标和商业化时间表来看 ，能够带来更高的带宽 
。容量也更大 ，XBM采用了后段晶体管设计，